定义：
以碳基材料（主要为碳纳米管）为核心构建的新兴TFT器件。其兼具高迁移率、透明度及良好的柔性，在柔性电子设备领域有广阔的应用前景。
主要制备方法：
热化学气相沉积法（thermal CVD）、等离子体增强化学气相沉积法（PECVD ）。
优势：
材料来源广、兼容柔性衬底、加工温度低、适合大批量生产、成本低。
机遇与挑战：
1.发展高密度、高取向性的碳纳米管半导体材料。
2.优化碳基材料与金属电极的匹配程度。
3.制备高纯度碳纳米管半导体材料。
4.研发性能出众、稳定性好的n型碳纳米管半导体材料，及相应集成电子设备。